• Емкость1 ТБ
  • Форм-фактор2280
  • Назначениедля ноутбука и настольного компьютера
  • Тип флэш-памятиTLC 3D NAND
  • ИнтерфейсыPCI-E
  • Тип PCI-EPCI-E 3.0 x4
  • РазъемM.2
  • Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)360000 IOPS
  • Скорость записи1900 МБ/с
  • Скорость чтения3200 МБ/с
  • Показать все

Здесь вы можете изучить характеристики, видео обзоры, отзывы покупателей о Samsung 1 ТБ M.2 MZ-V6E1T0BW

Цена от 31438 ₽
(на август 2023)

Характеристики Samsung 1 ТБ M.2 MZ-V6E1T0BW

Основные характеристики*
Емкость1 ТБ
Форм-фактор2280
Назначениедля ноутбука и настольного компьютера
Тип флэш-памятиTLC 3D NAND
Подключение*
ИнтерфейсыPCI-E
Тип PCI-EPCI-E 3.0 x4
РазъемM.2
Параметры накопителя*
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)360000 IOPS
Скорость записи1900 МБ/с
Скорость чтения3200 МБ/с
Ударостойкость и ресурс работы*
Ударостойкость при хранении1500 G
Время наработки на отказ1500000 ч
Ударостойкость при работе1500 G
Дополнительно*
Вес8 г
Высота2.3 мм
Ширина22 мм
Длина80 мм
Макс. рабочая температура70 °C

* Точные параметры уточняйте на сайте продавца.

Отзывы пользователей о Samsung 1 ТБ M.2 MZ-V6E1T0BW