Samsung 1 ТБ M.2 MZ-V6P1T0BW

  • Форм-фактор2280
  • Емкость1 ТБ
  • Назначениедля ноутбука и настольного компьютера
  • Тип флэш-памятиMLC 3D NAND
  • РазъемM.2
  • Тип PCI-EPCI-E 3.0 x4
  • ИнтерфейсыPCI-E
  • Скорость записи2100 МБ/с
  • Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)360000 IOPS
  • Скорость чтения3500 МБ/с
  • Показать все

Здесь вы можете изучить характеристики, видео обзоры, отзывы покупателей о Samsung 1 ТБ M.2 MZ-V6P1T0BW

Характеристики Samsung 1 ТБ M.2 MZ-V6P1T0BW

Основные характеристики*
Форм-фактор2280
Емкость1 ТБ
Назначениедля ноутбука и настольного компьютера
Тип флэш-памятиMLC 3D NAND
Подключение*
РазъемM.2
Тип PCI-EPCI-E 3.0 x4
ИнтерфейсыPCI-E
Параметры накопителя*
Скорость записи2100 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)360000 IOPS
Скорость чтения3500 МБ/с
Ударостойкость и ресурс работы*
Время наработки на отказ1500000 ч
Ударостойкость при работе1500 G
Ударостойкость при хранении1500 G
Дополнительно*
Ширина22 мм
Макс. рабочая температура70 °C
Длина80 мм
Высота2.3 мм

* Точные параметры уточняйте на сайте продавца.

Отзывы пользователей о Samsung 1 ТБ M.2 MZ-V6P1T0BW
Похожие товары