Фото
  • Тип флэш-памятиTLC 3D NAND
  • Форм-фактор2280
  • Назначениедля ноутбука и настольного компьютера
  • КонтроллерSamsung Elpis
  • Емкость1 ТБ
  • Макс. скорость интерфейса1400 МБ/с
  • РазъемM.2
  • Тип разъема M.22280, B&M
  • Тип PCI-EPCI-E 4.0 x4
  • Скорость записи5100 МБ/с
  • Показать все

Здесь вы можете изучить характеристики, отзывы покупателей о Samsung 1 ТБ M.2 MZVL21T0HCLR-00B00

Цена от 11790 ₽
(на август 2023)

Характеристики Samsung 1 ТБ M.2 MZVL21T0HCLR-00B00

Основные характеристики*
Тип флэш-памятиTLC 3D NAND
Форм-фактор2280
Назначениедля ноутбука и настольного компьютера
КонтроллерSamsung Elpis
Емкость1 ТБ
Подключение*
Макс. скорость интерфейса1400 МБ/с
РазъемM.2
Тип разъема M.22280, B&M
Тип PCI-EPCI-E 4.0 x4
Параметры накопителя*
Скорость записи5100 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)850000 IOPS
Скорость чтения7000 МБ/с
Объем буфера1024 МБ
Ударостойкость и ресурс работы*
Время наработки на отказ1500000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW)600 ТБ
Дополнительно*
Потребляемая мощность5.8 Вт
Высота2 мм
Ширина22 мм
Длина80 мм
Макс. рабочая температура70 °C

* Точные параметры уточняйте на сайте продавца.

Отзывы пользователей о Samsung 1 ТБ M.2 MZVL21T0HCLR-00B00